技术资料
制造商零件编号:IPS12CN10L G
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):69A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.8 毫欧 @ 69A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 83μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5600pF @ 50V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装:PG-TO251-3
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