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IPI65R099C6XKSA1-Infineon
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  • 封装:PG-TO262-3
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IPI65R099C6XKSA1

    制造商:Infineon Technologies

    描述:MOSFET N-CH 650V 38A TO-262

    系列:CoolMOS?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):650V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):38A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):99 毫欧 @ 12.8A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):127nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2780pF @ 100V

    功率 - 最大值:-

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA

    供应商器件封装:PG-TO262-3

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