制造商零件编号：IPI530N15N3 G

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：150V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：53 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：887pF @ 75V

功率 - 最大值：68W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：PG-TO262-3

我们提供Infineon(英飞凌)全系列IC，包含英飞凌官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解IPI530N15N3 G。