技术资料
制造商零件编号:IPD50R500CE
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
系列:CoolMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:超级结
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):500 毫欧 @ 2.3A,13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):433pF @ 100V
功率 - 最大值:57W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:PG-TO252-3
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