技术资料
制造商零件编号:IPD50N06S2-14
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.4 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 80μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1485pF @ 25V
功率 - 最大值:136W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:PG-TO252-3
我们提供Infineon(英飞凌)全系列IC,包含英飞凌官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解IPD50N06S2-14。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015