制造商零件编号：IPD35N10S3L-26

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 39μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 25V

功率 - 最大值：71W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

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