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技术资料
制造商零件编号:IPB065N15N3 G
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):130A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7300pF @ 75V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装:PG-TO263-7
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