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IPB05CN10N G-Infineon
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • 封装:PG-TO263-2
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IPB05CN10N G

    制造商:Infineon Technologies

    描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

    系列:OptiMOS?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):100V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 100A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):181nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12000pF @ 50V

    功率 - 最大值:300W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

    供应商器件封装:PG-TO263-2

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