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IPB019N08N3 G-Infineon
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  • 封装:PG-TO263-7
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IPB019N08N3 G

    制造商:Infineon Technologies

    描述:MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

    系列:OptiMOS?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):80V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):180A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 100A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):206nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14200pF @ 40V

    功率 - 最大值:300W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB

    供应商器件封装:PG-TO263-7

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