制造商零件编号：IPB019N08N3 G

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 270μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14200pF @ 40V

功率 - 最大值：300W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商器件封装：PG-TO263-7

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