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IPA65R190E6-Infineon
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  • 封装:PG-TO220
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:IPA65R190E6

    制造商:Infineon Technologies

    描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

    系列:CoolMOS?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):650V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20.2A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 7.3A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 730μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):73nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1620pF @ 100V

    功率 - 最大值:34W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 整包

    供应商器件封装:PG-TO220 整包

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