制造商零件编号：BSZ42DN25NS3 G

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：250V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：425 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 13μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：430pF @ 100V

功率 - 最大值：33.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

我们提供Infineon(英飞凌)全系列IC，包含英飞凌官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解BSZ42DN25NS3 G。