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BSZ180P03NS3E G-Infineon
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  • 封装:PG-TSDSON-8
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:BSZ180P03NS3E G

    制造商:Infineon Technologies

    描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

    系列:OptiMOS?

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Ta),39.5A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 20A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 48μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2220pF @ 15V

    功率 - 最大值:2.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-PowerTDFN

    供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

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