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技术资料
制造商零件编号:BSZ165N04NS G
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.9A(Ta),31A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):840pF @ 20V
功率 - 最大值:25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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