制造商零件编号：BSS84P H6327

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 60V 170mA SOT23

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：170mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 170mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：19pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：PG-SOT23-3

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