制造商零件编号：BSP149 E6906

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：660mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 660mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 400μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：430pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：PG-SOT223-4

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