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技术资料
制造商零件编号:BSO203P
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
系列:OptiMOS?
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2242pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:P-DSO-8
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