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BSL806N L6327-Infineon
  • 制造商:Infineon(英飞凌)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
  • 封装:PG-TSOP6-6
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:BSL806N L6327

    制造商:Infineon Technologies

    描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP

    系列:OptiMOS?

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 2.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):259pF @ 10V

    功率 - 最大值:500mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SC-74,SOT-457

    供应商器件封装:PG-TSOP6-6

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