技术资料
制造商零件编号:BSC252N10NSF G
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.2A(Ta),40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 43μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 50V
功率 - 最大值:78W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
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