制造商零件编号：BSC010NE2LSI

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：38A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.05 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：59nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4200pF @ 12V

功率 - 最大值：96W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8

我们提供Infineon(英飞凌)全系列IC，包含英飞凌官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解BSC010NE2LSI。