制造商零件编号：BSB165N15NZ3 G

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：150V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta），45A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 110μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 75V

功率 - 最大值：78W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-WDSON

供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M

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