制造商零件编号：RFD12N06RLE

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

系列：UltraFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：485pF @ 25V

功率 - 最大值：49W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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