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技术资料
制造商零件编号:MMBFJ108
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):80mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
电阻 - RDS(开):8 欧姆
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SuperSOT-3
功率 - 最大值:350mW
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