制造商零件编号：IRLI610ATU

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.3A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.65A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：240pF @ 25V

功率 - 最大值：3.1W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

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