

技术资料
制造商零件编号:HGT1S2N120CN
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
系列:-
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13A
Current - Collector Pulsed (Icm):20A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,2.6A
功率 - 最大值:104W
Switching Energy:96μJ (开), 355μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:30nC
25°C 时 Td(开/关)值:25ns/205ns
Test Condition:960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
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