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FQB4N90TM-Fairchild
  • 制造商:Fairchild(仙童半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
  • 封装:D2PAK
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:FQB4N90TM

    制造商:Fairchild Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

    系列:QFET

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):900V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.2A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.3 欧姆 @ 2.1A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V

    功率 - 最大值:3.13W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

    供应商器件封装:D2PAK

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