制造商零件编号：FQB19N20CTM

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：53nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1080pF @ 25V

功率 - 最大值：3.13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263-2

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