技术资料
制造商零件编号:FQA13N80_F109
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):750 毫欧 @ 6.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3500pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3PN
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