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技术资料
制造商零件编号:FQA10N80_F109
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.05 欧姆 @ 4.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2700pF @ 25V
功率 - 最大值:240W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3PN
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