技术资料
制造商零件编号:FGD3N60UNDF
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK
系列:-
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A
Current - Collector Pulsed (Icm):9A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.52V @ 15V,3A
功率 - 最大值:60W
Switching Energy:52μJ (开), 30μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:1.6nC
25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns
Test Condition:400V, 3A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):21ns
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252
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