制造商零件编号：FDU8586

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2480pF @ 10V

功率 - 最大值：77W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：TO-251AA

我们提供仙童半导体全系列IC，包含FDU8586官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解FDU8586。