制造商零件编号：FDR6580

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 11.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3829pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SSOT，SuperSOT-8

供应商器件封装：8-SSOT

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