技术资料
制造商零件编号:FDP023N08B_F102
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.35 毫欧 @ 75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):195nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13765pF @ 37.5V
功率 - 最大值:245W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220
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