制造商零件编号：FDN5618P

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.25A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：430pF @ 30V

功率 - 最大值：460mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-SSOT

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