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技术资料
制造商零件编号:FDN306P
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1138pF @ 6V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-SSOT
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