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FDN306P-Fairchild
  • 制造商:Fairchild(仙童半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
  • 封装:3-SSOT
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:FDN306P

    制造商:Fairchild Semiconductor

    描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

    系列:PowerTrench

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):12V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.6A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2.6A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1138pF @ 6V

    功率 - 最大值:460mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供应商器件封装:3-SSOT

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