技术资料
制造商零件编号:FDMS3626S
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
系列:PowerTrench
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17.5A,25A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5 毫欧 @ 17.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 13V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-PQFN(5x6), Power56
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