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FDMB3900AN-Fairchild
  • 制造商:Fairchild(仙童半导体)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
  • 封装:原厂封装
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:FDMB3900AN

    制造商:Fairchild Semiconductor

    描述:MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

    系列:PowerTrench

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):25V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 7A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 13V

    功率 - 最大值:800mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:*

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