制造商零件编号：FDM606P

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 10V

功率 - 最大值：1.92W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-MLP，MicroFET

供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x2）

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