制造商零件编号：FDD850N10LD

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1465pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

供应商器件封装：TO-252-5

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