制造商零件编号：FDC855N

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 6.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：655pF @ 15V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-SSOT

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