技术资料
制造商零件编号:FDC3601N
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):500 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):153pF @ 50V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:6-SSOT
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