技术资料
制造商零件编号:FDB14AN06LA0_F085
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):67A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.6 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263
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