技术资料
制造商零件编号:FCH110N65F_F155
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
系列:FRFET, SuperFET II
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):35A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):110 毫欧 @ 17.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 3.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):145nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4895pF @ 100V
功率 - 最大值:357W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247
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