制造商零件编号：FCD850N80Z

制造商：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

系列：SuperFET II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：800V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 600μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1315pF @ 100V

功率 - 最大值：75W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：TO-251

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