制造商零件编号：ZXMNS3BM832TA

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：314pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-MLP，MicroFET（3x2）

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