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ZXMN3A06N8TA-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
  • 封装:8-SOP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:ZXMN3A06N8TA

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:-

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOP

    我们提供DIODES全系列IC,包含ZXMN3A06N8TA官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解ZXMN3A06N8TA。

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