制造商零件编号：ZXMN3A04DN8TA

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 12.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1890pF @ 15V

功率 - 最大值：1.81W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

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