技术资料
制造商零件编号:ZXMN2F34MATA
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CHAN 20V DFN-2X2
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):277pF @ 10V
功率 - 最大值:1.35W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:3-DFN (2x2)
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