制造商零件编号：ZXMN2A04DN8TC

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 5.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22.1nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1880pF @ 10V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

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