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ZXMN2A04DN8TC-DIODES
  • 制造商:DIODES
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
  • 封装:8-SOP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:ZXMN2A04DN8TC

    制造商:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.9A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 5.9A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小)

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22.1nC @ 5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1880pF @ 10V

    功率 - 最大值:1.8W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOP

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