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技术资料
制造商零件编号:ZXMD63C02XTA
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 1.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):350pF @ 15V
功率 - 最大值:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装:8-MSOP
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