制造商零件编号：ZXMC6A09DN8TA

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.9A，3.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 8.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1407pF @ 40V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

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